关于发布2023年昆山市科技计划（第二批）项目申报指南与组织申报的通知

　　昆山开发区、昆山高新区、花桥经济开发区、旅游度假区管委会，各镇人民政府，各有关委办局，各有关科技园区、企事业单位：

　　为深入贯彻党的二十大精神和习近平总书记考察江苏时的重要讲话精神，深化实施创新驱动发展战略，聚焦“2+6+X”产业体系，围绕产业链部署创新链，聚力建设新城市、大力发展新产业、全力布局新赛道，为全市打造中国式现代化的县域示范，奋力走好新时代“昆山之路”贡献科技力量，现组织开展2023年昆山市科技计划(第二批)项目申报工作，有关事项通知如下：

　　一、申报要求

　　1.申报项目属于指南支持范围，符合项目申报条件;

　　2.项目按属地化原则申报;

　　3.各项目主管部门(包括区镇科技部门和事业单位行政主管部门)要在申报单位承担能力、资信状况、资料真实性与可靠性、是否重复立项等方面进行审查并形成审查意见。

　　二、申报方式

　　1.本次项目采取网上申报方式，企业申报入口：“昆如意”企业服务枢纽平台(人才管理服务平台)，网址：www.kststis.com，进入首页右侧服务专区“项目申报”—“2023年项目申报”完成网上申报环节，有关文本格式和要求在网站查询和下载;

　　2.网上申报程序：打开网址—进入申报系统—申报单位网上填报—项目主管部门审核—市科创发展服务中心审核—市科技局业务科室审核—网上申报成功。原则上主管部门初审时限为2个工作日;市科创发展服务中心形式审核时限为3个工作日;部门审核时限根据项目实际情况，一般最长不超过30个工作日;

　　3.项目主管部门对所属区域内企业申报材料进行审核后，按照统一格式(序号、计划类别、项目名称、承担单位、所属区镇或行政主管部门)制作项目申报清单汇总表，并加盖公章后报送市科创发展服务中心;

　　4.拟列入本年度立项计划的项目，由项目承担单位提交书面申报材料至相应业务科室，申报材料由网上申报系统生成，统一用A4纸打印，按照封面、承诺书、信息表、任务书和相关附件的顺序装订成册，书面材料一式一份(纸质封面，平装订)，提交方式和时间另行通知;

　　5.项目申报过程中平台操作问题请联系市科创发展服务中心产业发展服务科，联系电话55186073;项目申报相关要求请联系市科技局对应业务科室，联系方式见附件;

　　6.网上项目申报截止时间：2023年12月7日下午17:00。

　　三、其他事项

　　1.组织实施：单位申报、项目主管部门推荐、专家评审、信用审查、网上公示、项目立项;

　　2.申报所有计划类别的项目均必须提交由单位负责人、项目责任人签名并加盖单位公章的《昆山市科技计划项目责任主体信用承诺书》《2023年财政专项资金项目申报信用承诺书》;

　　3.申报的项目应具有明确的实施内容、实施进度、考核指标、经费预算等，不涉及国家机密、商业秘密和个人隐私等;

　　4.申报单位应科学预测项目实施预期目标和成效，合理测算新增投入和子科目预算;

　　5.申报截止后，申报系统将自动关闭，未完成申报的项目(含未完成提交和被退回修改的项目)将无法提交;

　　6.有下列情况之一的单位和个人不得申报本年度市级各类科技计划项目：(1)近三年内有应结未结、暂缓暂停、强制中止和撤销的昆山市科技计划项目的;(2)在昆山市公共信用信息数据库内存在严重不良信用记录的;(3)未按照要求完成科技统计的;(4)列为科技信用较重失信或严重失信的;(5)项目申报材料或项目验收材料、后补助评估材料可能涉及国家秘密的;

　　7.同一课题或研究内容相似的项目不得同时申报不同计划类别项目。

　　附件：1.科技创业孵化载体绩效奖励申报指南

　　2.昆山市重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)申报指南

　　昆山市科学技术局

　　2023年11月15日

　　附件1

　　科技创业孵化载体绩效奖励申报指南

　　一、支持重点

　　鼓励支持科技创业孵化载体引育双创人才企业、高新技术企业、瞪羚企业、独角兽培育企业、上市企业等创新型企业。

　　二、申报条件

　　1.载体需经昆山市级及以上认定(备案);

　　2.载体正常运营且当年度本级绩效评价等级合格及以上;

　　3.以载体运营机构为申报单位;

　　4.用以申请绩效奖励的培育企业(项目)，需为上年度获得相关认定，且尚注册在载体场地内。

　　三、支持方式

　　以一次性拨款形式对立项项目进行资助。

　　四、申报材料

　　《昆山市科技创业孵化载体绩效奖励申请表》《昆山市科技计划项目责任主体信用承诺书》《2023年财政专项资金项目申报信用承诺书》，并根据绩效申请情况提供如认定文件、证书、资金拨付文件等能证明企业(项目)认定情况的佐证材料。

　　责任科室：高新技术与科技金融科 57397065 57313542

　　附件2

　　昆山市重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)申报指南

　　一、支持重点

　　申报企业应是在昆山市内注册的独立法人企业，高校、科研院所可作为技术依托单位参与项目申报，重点支持高新技术企业等创新型企业申报科技项目。

　　二、申报条件

　　1.项目应符合本计划定位要求，属于项目指南支持领域和方向。项目具有明确的研发内容和较强的前瞻性，能推动相关新兴产业实现技术突破，项目成果具有自主知识产权和可预见的产业化应用前景。项目完成时，一般须形成发明专利申请或授权等高质量知识产权目标，电子信息、先进制造等领域项目须完成样品、样机或系统，新材料、新能源等领域项目须完成小试。

　　2.项目申报单位法人应出具信用承诺，对项目申报材料及附件证明材料的真实性、完整性、有效性负责。同一企业限报一个重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)项目。区镇主管部门要切实履行项目初审责任，做好项目的组织推荐。项目经费预算及使用须符合专项资金管理的相关规定，企业承担项目申请市拨经费不超过项目预算总额的30%。

　　3.对不符合节能减排导向的项目、规模化量产与产业化项目、无实质创新研究内容项目和一般性技术应用与推广项目均不予受理。涉及人类遗传资源采集、收集、买卖、出口、出境的需遵照《中华人民共和国人类遗传资源管理条例》的相关规定执行。涉及实验动物和动物实验的，需遵守国家实验动物管理的法律、法规、技术标准及有关规定。涉及人的伦理审查工作的，需按照相关规定执行。涉及安全生产等特种行业的，需拥有相关行业准入资格或许可。

　　三、组织方式

　　本年度昆山市重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)项目以“揭榜挂帅”形式组织申报，计划立项数不超过4项。

　　按照“揭榜挂帅”方式组织实施，由各区镇主管部门充分发动辖区内有条件的创新型企业，联合高校院所等各类创新主体，有针对性地“揭榜”申报，每个项目设置3个以上课题，项目申报不设门槛，项目负责人和承担单位不受在研限制，但申报书须覆盖该指南方向中所有研究内容和考核指标。

　　四、申报要求

　　1.每个项目资助经费最高300万元，项目资助经费额度根据其总投入、研发产出、技术创新水平等综合决定。项目经费预算编制应当真实、合理，符合本级科研项目经费管理的有关要求。

　　2.项目名称须科学规范，能够体现攻关的技术创新点或解决的关键核心问题，不出现企业名称、产品型号等信息，用“XXX研发”作为后缀，字数不宜过长，一般在25字以内。同一企业原则上限报一个项目。

　　3.研究内容属于指南支持的领域和方向，可涉及相关指南条目的全部内容，应具有较强原创性、前沿性和前瞻性。

　　五、申报材料

　　项目申报书、《昆山市科技计划项目责任主体信用承诺书》《2023年财政专项资金项目申报信用承诺书》，并上传提供以下附件材料：

　　基础材料(必须上传)：

　　1.上年度财务报表;

　　2.项目申请(负责)人身份证明、学历(学位)证书及现任职务(职称)证明;

　　3.科技查新报告;

　　4.项目联合申报协议。

　　其他相关材料(优选)：

　　1.相关专利、软件著作权等证书;

　　2.检测报告;

　　3.近三年享受科技税收优惠证明;

　　4.高新技术企业证书;

　　5.产学研项目合作协议;

　　6.其他奖励文件、承担各级项目证明文件等。

　　责任科室：高新技术与科技金融科 57313542 57397065

　　附件：2023年昆山市重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)“揭榜挂帅”项目指南

　　附件

　　2023年昆山市重点研发计划(产业前瞻与关键核心技术)“揭榜挂帅”项目指南

　　一、电子信息

　　1101 应用于卫星通信的Ku波段氮化镓功率放大器芯片的关键技术研发

　　需求目标：满足卫星通讯在Ku频段所需的高增益、高带宽以及高可靠性功率放大单片集成电路芯片(MMIC)，开展中频段氮化镓有源和无源管芯工艺开发，建立高精度的PKD和管芯模型，并在此基础之上进行芯片电路设计，开发芯片失效验证技术，最终形成可应用于民用卫星通信的高可靠性氮化镓微波集成电路芯片产品，获得应用验证。

　　考核指标：(1)GaNMMIC芯片，工作频率为12-18GHz，饱和输出功率≥25dBm，小信号增益≥12dB;(2)有源管芯指标：截止频率≥20GHz，增益>11dB，效率>45%;(3)无源管芯指标：电容>0.2-10.5pF、电阻(10-2k)Ω、电感0.3-4.5nH;(4)模型误差小于10%。

　　应用要求：该项目产品指标通过第三方检测，获得卫星通信厂商验证通过。

　　1102 扇入型晶圆级封装技术研发

　　需求目标：针对半导体芯片封装的高集成度和高心梗的迫切需求，开展先进封装前段制程的铜柱微凸点技术，研发高密度铜柱微凸点技术，精细RDL制造技术工艺，晶圆减薄技术，解决芯片可靠性电性互连问题，实现高端集成电路封装芯片基板互联。

　　考核指标：(1)铜凸点间距：8寸100um/12寸100um;(2)减薄后的厚度:8寸150um /12寸200um;(3)电互连密度5um~5um;(4)电流密度7*105A/cm^2;(5)电阻率1.7mΩ*cm;(6)RDL线宽/线间距:10/10um;(7)芯片尺寸最大：7*7mm;最小尺寸：0.4*0.2mm。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内著名半导体厂商的应用验证。

　　二、装备制造

　　1103 亚微米级智能精密复合磨削中心关键技术研发

　　需求目标：针对航空航天、汽车制造、工业母机等领域里外圆、内圆、端面、轮廓、螺纹等复杂特征零件的高精高效智能磨削需求，开展精密复合磨削中超精密万能型工件头架、高精度砂轮主轴系统、高精度回转数控“B”轴系统等关键技术研发，研究主轴系统、磨床整机的性能衰退机理以及可靠性实现技术，开发高精度高速内磨主轴与智能磨削工艺，成功开发高精高效智能复合磨削中心，实现在国内知名汽车部件供应厂商或工业母机领域应用验证和示范应用。

　　考核指标：(1)亚微米级智能精密复合磨削中心，①X/Z轴定位精度0.003/0.004mm;②X/Z轴重复定位精度0.0015/0.002mm;③B轴定位精度≤1″;④C轴定位精度≤+/-0.5°;⑤工件磨削圆度最高可达0.2μm;⑥工件磨削圆柱度≤2μm/m(1000mm标准长度试件);⑦四轴联动智能精密磨削;(2)精密磨床主轴系统性能评估方法与可靠性测试平台，实现主轴系统关键时变特性参数、驱控参数、精度指标等3大类可靠性指标的测量，针对主轴系统整体惯量、动态摩擦特性、回转精度与跳动等关键指标的测量与预测误差小于2%;实现高性能电主轴负载工况转速波动小于0.3%;磨床平均无故障工作时间MTBF≥2500小时;(3)开发高精度高速内磨主轴，主轴额定扭矩6.8NM，最高转速24000RPM，端部跳动≤1um;(4)项目期申请知识产权12项，其中发明4项，实用新型6项，软件著作权2项;(5)开发的亚微米级智能精密复合磨削中心通过国家权威检测机构检测。

　　应用要求：该项目研发成果须通过国内知名汽车部件供应厂商或工业母机领域应用验证和示范应用。

　　1104 基于脉冲射频辉光放电光谱仪技术的研发

　　需求目标：可对纳米级以及百微米级的膜层结构进行深度剖析;在建立设备深度分辨率函数基础上，可对测量得到的深度谱进行定量分析;通过第三方提供的标样，建立将元素强度转换成浓度的数据库(工作曲线);通过制备膜层结构已知的标样，建立将溅射时间转换为溅射深度的数据库。

　　考核指标：(1)激发源：频率为13.56MHz的射频水冷式固态发生器，可以在RF、脉冲RF或是VDC下运行最大功率150W;(2)光谱范围：120nm~800nm;(3)光谱仪：恒温系统(38±0.1℃);(4)焦距998.8mm;2160gr/mm光栅;(5)光谱分辨率：18pm~25pm;(6)深度分辨率：1~2nm;(7)最多元素通道：48个;(8)检测器：PMT;(9)真空度：小于3Pa;(10)软件：WinGDOES;(11)授权专利10项，其中发明专利2项;实用新型专利5项;软件著作权2项;外观专利1项。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内专业的第三方检测机构的检测验证。

　　1105 用于VR/AR/MR领域的超高分辨率硅基OLED微显示技术研发

　　需求目标：针对VR/AR/MR近眼显示设备对高亮度、高分辨率、高效率低功耗的需求，开展高均匀性硅基OLEDArray电路优化设计、高透过率和高功函数的硅基阳极材料开发、高效率高亮度器件结构开发等关键技术研发，研究产品低功耗的电路优化设计、开发高性能的白光OLED器件、研究阳极材料和阳极结构为解决顶发射器件启动电压和亮度均一性问题，实现在VR/AR/MR领域近眼显示设备的工程化应用。

　　考核指标：(1)优化硅基OLED驱动IC电路，进一步提高刷新率至120Hz;(2)优化高均匀硅基OLEDArray电路，进一步提高分辨率至4500PPI;(3)开发硅基阳极材料，通过开发具备更高透过率和功函数的阳极顶层材料，进一步提升显示亮度达5000nit和亮度均一性达90%;(4)开发高效率高亮度结构器件，提升效率并降低电压，白光亮度提升至5000nit，功耗性能提升至1750mW;(5)优化低温CF技术，开发相适应的高色域RGB材料和工艺，提高显示器色域≥90%。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内专业的第三方检测机构的检测验证。

　　1106 耐超高低温、耐强辐射的二氧化硅介质射频同轴电缆组件关键技术研发

　　需求目标：针对超音速飞行器、宇航深空探测、核辐射测试、超低温测控等超高难度、高精尖领域，进行小型化二氧化硅射频同轴电缆组件的关键技术研发，以及二氧化硅射频同轴电缆柔性化可行性验证研究。研究超高纯度、高性能二氧化硅介质材料，研究二氧化硅射频同轴电缆的小型化，研究二氧化硅射频同轴电缆的柔软化，实现在高超音速飞行器、宇航深空探测器、核工业、量子计算等领域的工程应用。

　　考核指标：(1)二氧化硅半硬射频同轴电缆外径不大于3.65mm;其制成的电缆组件最高工作频率不低于18GHz;电缆介质耐电压≥1000VDC;电缆组件18GHz插入损耗≤3.0dB;电缆组件18GHz电压驻波比≤1.5;电缆特性阻抗50±5Ω;(2)二氧化硅柔性射频同轴电缆开发完成;制成的电缆组件工作频率不低于6GHz;电缆特性阻抗50±5Ω;(3)上述两款电缆组件高温600℃×1小时试验后，插入损耗变化量不超过试验前1.5倍;(4)上述两款电缆组件低温-196℃×1小时试验后，插入损耗变化量不超过试验前1.5倍;(5)上述两款电缆组件辐照500Mrad后，插入损耗变化量不超过试验前1.5倍。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内专业的第三方检测机构的检测验证。

　　1107 百级高洁净半导体晶圆盒智能堆垛工业机器人系统关键技术研发

　　需求目标：晶圆盒储存库用百级高洁净度、高作业效率巷道堆垛机器人系统技术一直被日韩及欧盟先进企业所控制，国内市场基本被日韩品牌产品所垄断，为打破西方国家对我国半导体技术、设备实施全面禁止和断供局面，开展百级高洁净半导体晶圆盒智能堆垛工业机器人系统关键技术研发，研究高效率双向作业堆垛工业机器人叉臂设计、基于P-DBN深度误差补偿网络的非接触式磁栅尺高精度位置测量算法、基于区块链智能合约的智能堆垛工业机器人叉臂搬运信息溯源等技术，研制百级高洁净半导体晶圆盒智能堆垛工业机器人系统，实现在半导体企业高洁净多维立体库晶圆盒高效搬送和储存，并替代进口。

　　考核指标：(1)洁净等级：百级;(2)重复定位精度：±0.5mm;(3)机器人叉臂最大外伸行程：不低于610mm;(4)存取效率：一次双向同时存取晶圆盒2只/7s;(4)最大负载：≥40Kg;(5)行走速度：≥Max.120m/min;(6)升降速度：≥Max.110m/min;(7)控制方式：工控机+PLC;(8)通讯方式：光通信;(9)车体定位方式：激光测距加伺服驱动控制。

　　应用要求：项目成果通过国内主流半导体生产企业应用验证。

　　1108 800V高效率低成本扁线定子总成关键技术研发

　　需求目标：针对新能源汽车对800V高电压、高效率、高可靠性、低成本扁线定子总成的需求，开展扁线定子电磁和结构设计、高性能绝缘材料研发、制造设备和工艺、性能测试和可靠性评定等关键技术的研发，研究具有高功率密度、高效率、低成本扁线电机定子总成，并实现在新能源汽车电驱动系统中批量应用。

　　考核指标：扁线电机定子总成：(1)重量功率密度≥10kW/kg;体积功率密度≥75kW/L;(2)装机后电机效率≥97.5%;(3)工频交流PDIV≥1200V;(4)脉冲RPDIV≥3500V;(5)Vp-p3500V下方波耐电晕寿命≥500h。

　　应用要求：该项目研发成果电机扁线定子通过性能测试和可靠性验证。

　　1109 电动汽车全自动快速换电站的研发

　　需求目标：为新能源汽车提供全自动智能快速换电站及换电解决方案，在技术方案、占地面积、投资额、建设难度、质量标准、建设时间等方面均尝试突破，并且能够自动监控电池充电、智能调整充电速率，主要研发内容包括智能充换电管理系统、充换电设备的多层安全防护结构及浮动自适应对准技术以及3D视觉定位和机械定位融合的高精度定位技术，实现快速全自动换电。

　　考核指标：(1)生产节拍：≤3分钟更换电池;(2)整机故障率：3‰;(3)每5000次发生2h离线检修故障率：<1‰;(4)噪声指标：<70db;(5)充电效率≥97%。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内主流新能源汽车厂商应用验证。

　　1110 汽车轻量化板材加工过程中机器视觉智能检测工艺的研发

　　需求目标：随着能源结构的调整和环保要求的提高，汽车工业正在向着轻量化方向发展。激光拼焊是采用激光能源，将若干不同材质、不同厚度、不同涂层的钢材、不锈钢材、铝合金材等进行自动拼合和焊接而形成一块整体板材、型材、夹芯板等，以满足零部件对材料性能的不同要求，用最轻的重量、最优结构和最佳性能实现装备轻量化。焊接质量的问题可以在焊接过程中的多个因数中产生，如材料的内部缺陷和复杂的制造环境均会产生焊接质量问题。传统的焊接质量的离线检查存在耗时、浪费材料和影响产能的问题。因此，开展多种实时焊接质量监控手段来提供焊接的实时信息以控制焊接工艺和确保焊接质量。

　　考核指标：(1)使焊件不连续性参数最大值0.1mm，错边参数±0.5mm，咬边深度和超出厚度最大值0.15mm，定位精度±0.07mm，自动检测准确率95%;(2)改进传统Canny边缘检测系统。算法针对传统Canny边缘检测算法抗噪能力差、适应性不高等问题，结合最大津、自适应双阈值选取以及最大熵法进行改进，极大程度保留图像信息，通过改进双阈值选取方法提高算法对于背景复杂图像的适应性，便于后续对目标对象的提取与研究;(3)板材直线度小于0.07mm，对拼间隙柔性兼容0-0.5mm，轮廓度0.5mm;(4)单个气孔的最大尺寸L≤0.3t，欠缺投影面积累计总和之比f≤0.7%，联合气孔ΔL≥0.5t;(5)焊缝杯突值：开裂方向平行于焊缝而位于远离热影响区的母材，则视为合格，开裂方向垂直于焊缝，且杯突值考察值满足公式要求大于等于75%，焊缝拉力值：不可断裂在焊缝处。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内主流汽车厂商的应用验证。

　　1111 新能源工业级大容量智能液冷储能系统关键技术研发

　　需求目标：围绕双碳目标，针对新能源领域对电网频率控制和电力系统平衡模式重构的需求，开展工业级大容量智能液冷储能系统关键技术研发，研究钎焊无缝液冷循环系统关键工艺、储能PACK包复合金属承重系统轻量化和储能包新型结构材料热力行为关键技术，优化大容量储能装备专用承重系统以及智能化服务方案，开发一款强度大、密封好、散热强、效率高的大容量智能液冷储能系统，获得储能削峰填谷、系统调频、平滑新能源电力输出等功能，实现在国内新能源龙头企业大容量、智能储能领域的示范性应用场景。

　　考核指标：(1)储能PACK包箱体承重≧300Kg，变形度≤1.5mm，平面度≤2mm;(2)密封等级≧IP67，制冷剂泄漏量≤2x10-8Pa.m3/s;(3)运行工况下，PACK包箱体温度≤35°C，温差<3°C，液冷换热系数5000-50000，阻燃等级达到UL94-V0;(4)大容量储能系统PACK包>65组，PACK包集成1P48S/52S锂电芯，总装机容量≧3.2MWH，持续供电≧2h;(5)申请知识产权≥20件，其中发明专利≥8件、实用新型≥12件;发表论文≥3篇，制定企业技术标准2项。

　　应用要求：该项目的成果需通过国家权威机构认定，并获得国内典型新能源厂商示范应用。

　　三、先进材料

　　1112 超细晶金属陶瓷基复合材料的研发

　　需求目标：针对难加工材料在加工过程中存在的效率低、磨损快、加工质量无法满足需求等难题，开展超细晶金属陶瓷基复合材料的研发，创新发明新型(Ti，W)(C，N)固溶体粉末取代常规混合粉末制备金属陶瓷，最大程度减小硬质相晶粒内部的芯-环成分差异(即形成灰芯-灰环结构，避免黑芯-灰环结构)，改善芯-环界面晶格错配和内应力，避免合金元素过多的固溶进入粘结相形成脆性的金属间化合物，可以减少二次碳化物MeC数量，缩短球磨时间，避免增氧和掺杂。创新发明纳米级β-SiC晶须制备金属陶瓷，调控晶须添加量，避免合金出现孔隙及Mo2C夹杂相，1450°C烧结金属陶瓷，相同硬度下，添加SiC晶须的金属陶瓷断裂韧性显著提升。

　　考核指标：(1)粉末冶金分层填铺法制备梯度Ti(C，N)基金属陶瓷，制备出的具有相同粘结相含量的5层梯度结构金属陶瓷的抗弯强度为2325MPa，表面硬度91.5HRA;(2)无钴金属陶瓷的强度和韧性，制备无钴金属陶瓷合金产品，强度可达2000(N/mm2)以上，断裂韧性>10MPa.m½;(3)制备边长或直径超过350mm、厚度超过40mm、尺寸公差在±0.20mm以内的大尺寸无钴金属陶瓷异型材料产品;(4)金属加工效率提升一倍以上，表面质量提高一个技术等级，实现金属陶瓷材料产品高效加工。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内专业的第三方检测机构的检测验证。

　　1113 抗高压应力氢化DLC薄膜材料的研发

　　需求目标：在类金刚石涂层的基础上;通过控制H含量与分子之间的交联程度，开发出一种低硬度抗高压载荷能力的多层复合结构涂层，使表层结构的硬度低于中间层，可以耐受1000MPa以上的冲击载荷和60N以上的摩擦压力。可以满足各种燃油发动机超高压磨损件、高压泵组、高速高载摩擦场合的应用中，显著提升零部件的使用寿命并缩短维保周期，减少能源消耗与碳排放。

　　考核指标：(1)镀膜产品摩擦系数<0.1;(2)纳米硬度1000-3300HV可调;(3)磨损率比标准类金刚石降低20%以上;(4)镀膜产品寿命提升30%以上;(5)镀膜沉积速率不低于2um/h。

　　应用要求：该项目的成果须通过国内主流汽车零部件厂商应用验证。

　　1114 用于量子材料与器件的矢量超导磁体及超低温系统的研发

　　需求目标：用于量子材料与器件的矢量超导磁体及超低温系统是集多种基础物理性质测量功能于一体的现代化高端科学仪器。本项目设计理念意在设计一个精准可控的极低温和多矢量轴强磁场平台，并在此基础上集成开发磁学、电学、热学以及介电等各种物性测量手段。这样的集成化设计极大减弱科研人员自己搭建实验的繁琐和误差，同样降低了用户的采购成本。

　　考核指标：(1)磁体指标：Z轴磁场9T，X轴/Y轴磁场1T;冷孔直径55mm;(2)磁场温度指标：<1.5K;(3)设计并构建用于低温矢量超导测试系统的电学测量模块，电阻测量范围：1×10-6Ω~1×106Ω;(4)能够在3nm-NiFe薄膜(国际标准样品)中测试出信号，信噪比达到10：1以上。

　　应用要求：该项目的成果通过国内专业的第三方检测机构的监督检测验证。